40V / 100V NチャネルSTripFET F8パワーMOSFET

次世代車載電源システムに最適の高効率ソリューション

低電圧パワー･デバイスの性能に新しい基準を確立

STripFET F8テクノロジーが著しい進化を遂げ、パワーMOSFETの性能を飛躍的に高めました。内部容量とゲート蓄積電荷容量が大幅に削減された、この新しい 40Vおよび100V耐圧のデバイス･シリーズは、スイッチング損失を低減し、全体的な変換効率を向上します。

この基盤テクノロジーを活用した新しいSmart STripFET F8シリーズ は、導通性能およびチップ面積の最適化という目的に特化して開発されました。

この新シリーズ最初のデバイスはSTL059N4S8AGです。R_DS(ON)=0.59mΩという極めて低いオン抵抗を実現し、寄生成分と実装面積を低く抑えたPowerFLATパッケージ（5mm ｘ 6mm）によって提供されます。

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STパワーMOSFETの新シリーズ40V Smart STripFET F8

STL059N4S8AG：車載パワー･ディストリビューションに最適の超低損失

STL059N4S8AGは、極めて低いオン抵抗R_DS(ON)=0.59mΩによって、導通効率とスイッチング効率に新しい基準を打ち立てました。過酷な条件での動作を想定して設計されたこのデバイスは、車載アプリケーション向けにAEC-Q101認証を取得し、最大接合部温度175℃に対応しています。優れた熱性能、低く抑えられた導通損失、コンパクトなパッケージといったメリットを同時に実現しており、特にバッテリ･マネージメント･システム（BMS）、大電流パワー･ディストリビューション、ソリッドステート･リレーなどの大電流アプリケーションでその威力を発揮します。