STripFET F8パワーMOSFET

1つのテクノロジーで、2つの世界に、揺るぎない信頼性を提供

さらに充実したポートフォリオ:40V、100V、そして新製品の80V

さらに充実したポートフォリオ:40V、100V、そして新製品の80V

STが新たに導入するSTripFET F8シリーズは、12Vシステム向けの40V定格品、通信インフラ向けの100V定格品、48Vアーキテクチャ(MHEV/DC-DC)向けに最適化された新しい80V定格品など、あらゆる電圧に対応します。製品のポートフォリオには、導通損失とダイ面積の最適化を追求した先進のSmart STripFET F8シリーズも含まれています。

主なアプリケーション:高効率を求める車載機器および産業用機器

Automotive applications

車載機器

  • 48Vマイルド・ハイブリッド・システム
  • 車載モータ制御
  • ヒーティング・システム
  • ブレーキ・システム
Industrial applications

産業機器

  • データ・センター
  • マイクロインバータ
  • 家庭用および業務用電気製品
  • ゲームおよびドローン

STripFET F8パワーMOSFETが選ばれる理由

効率とノイズ耐性

  • 低損失:低RDS(on)が導通損失、低ゲート電荷(Qg)がスイッチング損失を削減します。
  • 安定した動作:ゲート構造の最適化により、高速スイッチング時の寄生ターン・オンを抑制します。

電力密度

  • 優れた熱性能:熱抵抗の低いパッケージがPCBへの放熱を促進するため、高密度の実装でも接合部温度の上昇を抑えることができます。
  • 小型パッケージ:PowerFLAT 5x6、新登場のPowerLeaded 8x8で提供されます。
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2つの市場に対応する汎用性

  • 車載グレード:12Vおよび48Vの車載システム向けにAEC-Q101認定を取得済みです。
  • 産業グレード:通信インフラ、電源、モータ制御アプリケーション向けに各種工業規格の認定を取得済みです。
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あらゆるアーキテクチャに対応する豊富なポートフォリオ

 

40Vシリーズ

80Vシリーズ

100Vシリーズ

概要

12Vシステムおよび同期整流向けに最適化されており、超低RDS(on)を実現しています。

48V ⁄ MHEVアーキテクチャ向けに追加されたST最新のシリーズです。安全に対するマージンの確保と高速のスイッチング特性を両立させています。

一次側でのスイッチング動作や過酷な環境下に対しても、最高水準の信頼性を提供します。

RDS(on)仕様

0.48mΩ~2.7mΩ

1.6mΩ~4.5mΩ

1.6mΩ~4.6mΩ

主なメリット

高電力密度と導通損失の最小化

高速スイッチング性能と電圧余裕度

信頼性の高い設計とdv/dtノイズ耐性

パッケージ・オプション

- POWERLEADED 8x8

- PowerFLAT 5x6 WF

- PowerFLAT 3.3x3.3

- PowerFLAT 5x6

- PowerFLAT 5x6 WF

- H2PAK-2 / H2PAK-6

- POWERLEADED 8x8

- PowerFLAT 5x6 / WF

- TO-LL

オートモーティブ・グレード

準備中

The advanced STripFET F8 technology enables a range of package options to meet the evolving needs of discrete power designs. Smaller die sizes support more compact footprints and greater miniaturization, along with several other package options to accommodate higher power and current levels for demanding applications. Available packages: PowerLeaded 8x8, PowerFLAT 5x6, PowerFLAT 5x6 WF, PowerFLAT 3.3x3.3, H2PAK-2 / H2PAK-6 and TO-LL.

オンデマンド・ウェビナー

低電圧MOSFETアプリケーションで発揮されるSTripFET F8テクノロジーの真価