600V / 650V MDmesh M9 / DM9スーパージャンクション･パワーMOSFET
パワー･ステージの向上
小型のAIサーバやデータ･センターのPSUの効率を向上するPowerFLAT 8x8パッケージの高電圧MOSFET
小型のAIサーバやデータ･センターのPSUの効率を向上するPowerFLAT 8x8パッケージの高電圧MOSFET
MDmesh M9/DM9シリーズは、性能指数RDS(ON)*Qgが極めて小さく、電源レベルを拡大して電力密度の高いシステムを実現します。DM9シリーズの高速な固有ダイオードは、dv/dtとdi/dtを大幅に改善し、堅牢性と信頼性を高めます。
高電圧PowerFLAT 8x8パッケージは、超低プロファイルの面実装パッケージの製品ラインをさらに充実させ、ケルビン･ソース端子によってゲートの駆動能力と効率を向上させます。
再生可能電力 & 高電力
- 太陽光発電（M9 / DM9）
- 発電 & 蓄電（M9 / DM9）
- EV充電ステーション（M9 / DM9）
- 産業用電源（M9 / DM9）
- 高速充電器（M9 / DM9）
ネットワーキング
- 通信電源 / 5G（M9 / DM9）
- サーバ & データセンター（M9 / DM9）
- AIサーバ（M9 / DM9）
産業用モータ制御
- MDmesh DM9シリーズに固有
STのPower FLAT 8x8 HVシリーズのご紹介
ST8L65N044M9
PowerFLAT 8x8 HVパッケージによる、Nチャネル、650V、36mΩ（typ.）、58AのMDmesh M9パワーMOSFET
ST8L60N065DM9
PowerFLAT 8x8 HVパッケージによる、Nチャネル、600V、51mΩ（typ.）、39AのMDmesh DM9パワーMOSFET
パッケージのイノベーションと汎用性
MDmesh M9 / DM9シリーズMOSFETは、さまざまなアプリケーションのニーズに合わせて各種パッケージで提供されます。
- コンパクトなSMDパッケージ（ケルビン･ソース･ピン付きPowerFLAT8x8 HV、SOT223-2、DPAK、PowerFLAT5x6 HV）
- スルーホール･パッケージ（TO-220、TO220-FP、TO-247ロング･リードまたは4リード）
- 革新的な高性能パッケージ（電力密度と熱効率に極めて優れたリードレスTO-LLおよび上面冷却型HU3PAK）
- 主な特徴とメリット
- 超低RDS(on) x Qg性能指数
- MDmesh M9シリーズに固有
- 動的dv / dtの改善による堅牢性の向上
- より高い出力レベル
- 電力密度の向上により設計の小型化を実現
- 高効率および低スイッチング損失
- MDmesh DM9シリーズに固有
- ダイオードの逆リカバリ時間（trr）の改善
- より高いdv / dt（120V/ns）とdi / dt（1300A/µs）
- 最適化されたボディ･ダイオードのリカバリとソフト･リカバリ
| MDmesh M9 series | MDmesh DM9 series |
|---|---|---|
| PowerFLAT 8x8 HV | ||
| DPAK | ||
| TO-220 | ||
| TO247-4 | ||
| TO-247ロング･リード |
| MDmesh M9 series | MDmesh DM9 series |
|---|---|---|
| PowerFLAT 8x8 HV | ||
| DPAK | ||
| TO-220 | ||
| TO247-4 | ||
| TO-247ロング･リード |
- 主な特徴とメリット
- 超低RDS(on) x Qg性能指数
- MDmesh M9シリーズに固有
- 動的dv / dtの改善による堅牢性の向上
- より高い出力レベル
- 電力密度の向上により設計の小型化を実現
- 高効率および低スイッチング損失
- MDmesh DM9シリーズに固有
- ダイオードの逆リカバリ時間（trr）の改善
- より高いdv / dt（120V/ns）とdi / dt（1300A/µs）
- 最適化されたボディ･ダイオードのリカバリとソフト･リカバリ