ACEPACK™ SMITパッケージ

ACEPACK™ SMITパッケージは、ヒートシンクとの熱結合を改善するために、上面にダイレクト･ボンド･カッパー（DBC）による金属･絶縁･金属基板が配置されています。これにより、回路基板（PCB）はシリコンによる放熱が緩和され、より低温での動作が可能となり、設計の柔軟性が向上します。

このパッケージは、低い寄生インダクタンスおよび熱抵抗のため、柔軟性の高いDBCの内部設計が可能です。1kW～50kWの電力範囲でシングル･スイッチからマルチダイ･トポロジまでのさまざまな電気回路ソリューションを実現できます。成形材料は、車載用および産業用アプリケーションに対して、卓越した耐湿性と耐熱性を提供します。 

ACEPACK SMITは、シリコンIGBT、MOSFET、ダイオード、サイリスタ、SiCデバイスなど、さまざまなパワー半導体を封止でき、Viso（絶縁耐圧）4.5kVrmsでのUL 1557認証を受けています。

2つの新しい650Vハーフブリッジ·スーパージャンクションMDmesh DM6 MOSFETである、SH68N65DM6AGとSH32N65DM6AGが発表されています。どちらもAQG 324認定済みで、Rds(on)(max)値は、SH68N65DM6AGの場合41mΩ、SH32N65DM6AGの場合97mΩであり、高い電力効率と低い放熱性が保障されます。これらは、OBCと高電圧から低電圧のセクションの両方のDC-DCコンバータ向けに設計されています。

ACEPACK SMITのモジュール化機能が、最新のIGBTベースのハーフブリッジSTGSH80HB65DAGトポロジで利用できるようになりました。この新しい構成は、オンボード･チャージャのPFCレッグに適しています。トラクション･インバータや充電ステーション･アプリケーションに特化した、既存の定評のあるシングルスイッチSTGSB200M65DF2AGに追加のラインアップとなります。柔軟なACEPACK SMITパッケージに封止されたこのハーフブリッジ･トポロジは、アンチパラレル･ダイオードを含むIGBT HBシリーズに基づき、自動車の電動化のためのSMD製品ポートフォリオを充実させます。

さらに、サイリスタとダイオードが組み込まれた新しいSTTD6050H-12M2Yモジュールは、AC-DCハーフ制御ブリッジ整流器として使用でき、STTH60RQ06-M2Y高速整流器モジュールは、400V EVバッテリの出力整流用に最適化されています。また、ACEPACK SMITモジュールの1200V 60Aサイリスタ制御ハーフブリッジであるSTTN6050H-12M1Yもリリースされています。すべての製品は、AEC-Q101認定済みで、ハイブリッド車およびEV車用の電力コンバータ、およびACまたはDC充電ステーションの要件を満たしています。

ACEPACK SMITで提供されるST製品には、SiC MOSFETも含まれます（2023年第3四半期にSH16M12W3AGを提供予定）。