この低電圧パワーMOSFETはAEC-Q101認定済みで、電力密度が非常に高いソリューションのあらゆる要件に対応可能
STL325N4LF8AGは、最大0.75mOhm（VGS @ 10V）のオン抵抗を特徴としており、エネルギーを節約するほか、電力変換、モータ制御、および配電回路の低ノイズ化を実現します。
主な機能
このデバイスは、市場の他の競合デバイスと比べて電磁干渉（EMI）がきわめて低く、卓越した短絡耐性を備えており、最大1000A（10µsより短いパルス）まで耐えることができます。
アプリケーション例
パワー･コンバージョン 
モータ制御 
パワー･ディストリビューション 関連情報
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STの低電圧MOSFETは、ボディ･ダイオードのプロパティを最適化しながら、オン抵抗とスイッチング損失の両方を低減します。これによってエネルギーを節約するほか、電力変換、モータ制御、および配電アプリケーション用回路の低ノイズ化を実現します。