Featuring a maximum on-resistance of 0.75mOhm (VGS @ 10 V), the STL325N4LF8AG saves energy and ensures low noise in power conversion, motor control and power distribution circuits.
The device emits extremely low electromagnetic interference (EMI) compared to other similar devices in the market and ensures an outstanding short-circuit ruggedness, withstanding up to 1000 A (pulses shorter than 10 µs).
Discover the advantages of the first sub-mΩ, low-voltage power MOSFETs in a PowerFLAT (5 x 6 mm) package.
Cutting both on-resistance and switching loss while optimizing body-diode properties, ST’s low-voltage MOSFETs save energy and ensure low noise in circuits for power conversion, motor control, and power distribution applications.
この低電圧パワーMOSFETはAEC-Q101認定済みで、電力密度が非常に高いソリューションのあらゆる要件に対応可能
STL325N4LF8AGは、最大0.75mOhm（VGS @ 10V）のオン抵抗を特徴としており、エネルギーを節約するほか、電力変換、モータ制御、および配電回路の低ノイズ化を実現します。
このデバイスは、市場の他の競合デバイスと比べて電磁干渉（EMI）がきわめて低く、卓越した短絡耐性を備えており、最大1000A（10µsより短いパルス）まで耐えることができます。
パワー･コンバージョン モータ制御 パワー･ディストリビューション 
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STの低電圧MOSFETは、ボディ･ダイオードのプロパティを最適化しながら、オン抵抗とスイッチング損失の両方を低減します。これによってエネルギーを節約するほか、電力変換、モータ制御、および配電アプリケーション用回路の低ノイズ化を実現します。
