製品概要
概要
STK615N4F8AGは、強化されたトレンチ･ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術で設計された40V Nチャネル･エンハンスメント･モードのパワーMOSFETです。
内部キャパシタンスとゲート電荷を低減し、より高速で効率的なスイッチングを実現すると同時に、超低オン抵抗により最高水準の性能指数を保証します。
-
特徴
- AEC-Q101準拠
- MSL1グレード
- 最大動作時接合部温度：175℃
- 100%アバランシェ試験済み
- 低ゲート電荷Qg
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STK615N4F8AG
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 10 Jan 2025 | 10 Jan 2025 |
SIMetrix models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 29 May 2025 | 29 May 2025 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STK615N4F8AG | 量産中 | POWERLEADED8X8 | オートモーティブ | Ecopack2 | 10 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STK615N4F8AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STK615N4F8AG 量産中
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