PowerGaNトランジスタ

STPOWERファミリの製品であるGaN HEMTトランジスタは、電力変換の設計にGaN（窒化ガリウム）の性能面でのメリットを最大限にもたらします。このエンハンスメント型p-GaNデバイスは、低伝導損失、超高速スイッチング、逆回復ゼロを実現しており、電力変換システムの小型化、軽量化、低発熱化に貢献します。

単位面積あたりの固有オン抵抗が非常に低いことと、ゲート電荷量と固有容量が非常に低いことが相まって実現した優れた性能指数（R_DS(on) x QG）により、動作範囲全体にわたってスイッチング損失と導通損失を低減します。これにより、スイッチング周波数の向上、受動部品の小型化、先進的なトポロジを実現します。