STのMOSFETポートフォリオは、-500V~1,500Vの広範なブレークダウン電圧を、低いゲート電荷および低いオン抵抗と合わせて最先端のパッケージで提供します。STの高電圧MOSFET(MDmesh™)および低電圧MOSFET(STripFET™)向けプロセス技術によって電力処理能力が向上した結果、効率の高いソリューションが可能になりました。

STの幅広いポートフォリオの主な特徴は以下のとおりです。

  • -500 V~1500 Vのブレークダウン電圧範囲
  • スイッチング効率を向上させる専用制御ピンを備えた新しい4リードTO247-4や、大電流に対応するH2PAK、露出した大きな金属製ドレイン・パッドによる優れた熱的性能を備えた、高さ1mmの表面実装PowerFLAT™ 8x8 HVとPowerFLAT 5x6 HV、VHVなど、30を超えるパッケージ・オプション
  • 今日の厳しい効率要件を満たすように改善されたゲート電荷と低下した電力損失
  • 内蔵高速ボディ・ダイオードの製品ラインナップ
  • オートモーティブ・グレードMOSFETの幅広いポートフォリオ

STは、スイッチ・モード電源、照明、DC-DCコンバータ、PFC、モータ制御、車載機器などのアプリケーションに対応する各電圧範囲での設計に適したMOSFETを取り揃えています。

Automotive MOFETs in tiny 5x6 mm dual-side cooling package

ST has extended its offering of AEC-Q101 MOSFETs with the introduction of two 40 V devices in the advanced PowerFLAT TM 5x6 dual-side cooling (DSC) package with wettable flanks. The STLD200N4F6AG and STLD125N4F6AG, with a maximum on-resistance of 1.5 mΩ and 3.0 mΩ respectively, ensure high efficiency and help simplify system thermal management. The 0.8 mm-high PowerFLAT 5x6 DSC retains the footprint and thermally efficient bottom-side design of the standard wettable flank package, while it exposes the top-side source electrode to further enhance heat dissipation. This allows a higher current rating that increases power density, enabling designers to build smaller ECUs without trading off functionality, performance, or reliability.

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