STのMOSFETポートフォリオは、-500V~1,500Vの広範なブレークダウン電圧を、低いゲート電荷および低いオン抵抗と合わせて最先端のパッケージで提供します。STの高電圧MOSFET(MDmesh™)および低電圧MOSFET(STripFET™)向けプロセス技術によって電力処理能力が向上した結果、効率の高いソリューションが可能になりました。

STの幅広いポートフォリオの主な特徴は以下のとおりです。

  • -500 V~1500 Vのブレークダウン電圧範囲
  • スイッチング効率を向上させる専用制御ピンを備えた新しい4リードTO247-4や、大電流に対応するH2PAK、露出した大きな金属製ドレイン・パッドによる優れた熱的性能を備えた、高さ1mmの表面実装PowerFLAT™ 8x8 HVとPowerFLAT 5x6 HV、VHVなど、30を超えるパッケージ・オプション
  • 今日の厳しい効率要件を満たすように改善されたゲート電荷と低下した電力損失
  • 内蔵高速ボディ・ダイオードの製品ラインナップ
  • オートモーティブ・グレードMOSFETの幅広いポートフォリオ

STは、スイッチ・モード電源、照明、DC-DCコンバータ、PFC、モータ制御、車載機器などのアプリケーションに対応する各電圧範囲での設計に適したMOSFETを取り揃えています。

Arcing-resistant package extends MOSFETs portfolio

ST has extended its offering of MDmesh M2 and MDmesh K5 MOSFETs with a new package option, the fully isolated TO-220FP wide creepage. It features an improved creepage (4.25 mm pin distance) for a higher level of protection against high voltage arcing failures. It eliminates the special potting, lead forming, sleeving, or sealing needed to prevent the arcing when using conventional packages with 2.54 mm lead spacing, resulting in simplified manufacturing and reduced system cost.
High voltage arcing can occur due to dust entering the case, which reduces the effect of the creepage. Thanks to the wider creepage, this package option meets the demanding needs of open frame power supplies such as those found in TVs and PCs.

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