STのMOSFETポートフォリオは、-500 V ~ 1700 Vの広範なブレークダウン電圧、低容量のゲート電荷、低オン抵抗のデバイスを、最先端のパッケージで提供しています。STの高電圧MOSFET(MDmesh™)および低電圧MOSFET(STripFET™)向けプロセス技術により、電力処理能力の向上を実現しました。その結果、ソリューションの効率化に貢献することができます。


  • -500 V ~ 1700 Vのブレークダウン電圧範囲
  • スイッチング効率を向上させる専用の制御ピンを備えた新しい4リードTO247-4、大電流対応のH2PAK、1mm高の表面実装PowerFLAT™ 8x8 HV、露出金属製パッドによってさらなる放熱性能を実現したPowerFLAT 5x6 HVとVHVなど、30を超えるパッケージ・オプション
  • 最先端の厳しい効率要件に応えるために改善されたゲート電荷量および低電力損失
  • 厳選された製品ライン向けの高速ボディ・ダイオード内蔵のMOSFET製品ライン
  • オートモーティブ・グレード対応MOSFETの幅広いポートフォリオ


Main MOSFET series

Automotive MOFETs in tiny 5x6 mm dual-side cooling package

ST has extended its offering of AEC-Q101 MOSFETs with the introduction of two 40 V devices in the advanced PowerFLAT TM 5x6 dual-side cooling (DSC) package with wettable flanks. The STLD200N4F6AG and STLD125N4F6AG, with a maximum on-resistance of 1.5 mΩ and 3.0 mΩ respectively, ensure high efficiency and help simplify system thermal management. The 0.8 mm-high PowerFLAT 5x6 DSC retains the footprint and thermally efficient bottom-side design of the standard wettable flank package, while it exposes the top-side source electrode to further enhance heat dissipation. This allows a higher current rating that increases power density, enabling designers to build smaller ECUs without trading off functionality, performance, or reliability.

製品ラインナップ ツール & ソフトウェア リソース サポート & コミュニティ