ST Life.augmented
sense_power

IGBTs

ブレークダウン電圧が350V~1,300Vの範囲にわたるST’のIGBTは、スイッチング性能と低いオンステート特性のバランスをうまく取って、さらに広い範囲でエネルギー効率に優れたシステムを設計できるようにします。 STはまた、2KWまでのシンプルかつ高性能なACモータ・ドライブ向けに、新しいIGBTインテリジェント・パワー・モジュール・ファミリも提供しています。

650 V IGBT HBシリーズ

650 V IGBT HBシリーズ
独自の高度なトレンチゲート・フィールドストップ(TGFS)構造を利用したSTの650 V IGBT HBシリーズは、極めて低い飽和電圧(Vce(sat)=1.6 V)、最小のターンオフ・テール電流、および175℃の最高動作温度を兼ね備え、ソーラー・インバータ、溶接機、UPS、PFCなどの高周波アプリケーションの効率を向上させます。 温度に対して正の VCE(sat)のディレーティング特性と、各種パラメータを厳密に制御することで、大規模な電力要件への対応を目的とした複数IGBTの安全な並列動作と設計の簡素化が可能です。
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