실리콘 카바이드
ST는 실리콘 카바이드 기술을 수년간 연구 개발한 끝에 2004년, 최초의 SiC 다이오드를 출시했습니다. SiC MOSFET은 2009년에 출시된 후 2014년에 대량 생산이 시작되었습니다. SiC 기술이 채용된 ST의 중/고전압 전력 제품은 현재 업계에서 가장 광범위한 포트폴리오를 자랑합니다. ST는 수명 연장 프로그램을 통해 증가하는 수요를 충족하고 연속성을 보장할 수 있도록 안정적이며, 강력한 SiC 공급망을 개발하고 용량을 확장하기 위해 적극 노력하고 있습니다.
ST는 전기 자동차(EV) 애플리케이션, 태양광 인버터, 에너지 저장 장치, 산업용 모터 드라이브, 전원 공급 장치에 안정적인 성능과 효율성을 보장하기 위해 가장 높은 표준을 준수하여 SiC 제품을 제조하고 있습니다. 산업 및 자동차 애플리케이션 표준을 뛰어 넘는 ST의 기술은 보다 극한 환경의 항공우주 애플리케이션을 준비 중입니다.
ST는 새로운 실리콘 카바이드
디바이스로 EV 및 산업용
애플리케이션의 미래를
이끌고 있습니다.
ST는 최근 자사의 3세대 SiC 기술 플랫폼에 대한 인증을 완료했습니다. 이 플랫폼을 기반으로 하는 평면 MOSFET은 트랜지스터 효율성, 전력 밀도 및 스위칭 성능 측면에서 업계 최고의 벤치마크를 세웠습니다. 현재 첫 개발 제품들이 출시되어 있습니다.
ST는 25년 이상 SiC의 R&D에 매진해왔으며, 완벽한 공급망 제어를 포함하여 업계 최고의 SiC 솔루션을 개발했습니다.
실리콘 카바이드를 기반으로 하는 파워 디바이스는 기존의 실리콘 디바이스에 비해 다양한 이점이 있습니다. 보다 높은 고전압과 고주파를 기반으로 시스템 효율성과 스위칭 속도를 높이고, 손실을 줄이며, 열 관리를 개선할 수 있습니다. 궁극적으로는 크기가 작고, 가벼우면서도 전력 밀도가 높은 파워 디바이스를 설계할 수 있습니다.
실리콘 카바이드를 기반으로 하는 파워 디바이스는 기존의 실리콘 디바이스에 비해 다양한 이점이 있습니다. 더 높은 전압과 주파수 기능 덕분에 시스템 효율성과 스위칭 속도를 높이고, 손실을 줄이며, 열 관리를 개선할 수 있습니다. 궁극적으로, 크기가 작고 가벼우면서도 전력 밀도가 높은 파워 디바이스를 설계할 수 있습니다.
SiC 기반의 파워 디바이스는 최대 200°C의 접합 온도(패키지를 통해서만 제한)에서도 가동되므로 냉각 요구 사항을 줄이고, 보다 컴팩트하고 안정적이며 견고한 솔루션을 설계할 수 있습니다. 또한, 대대적인 변경 작업 없이도 기존 설계에 SiC 디바이스의 성능과 효율성을 통합할 수 있기 때문에 BOM을 최소한으로 유지하면서 개발을 가속할 수 있습니다.
SiC 파워 디바이스는 트랙션 인버터, 온보드 충전기, DC/DC 변환 스테이지를 포함해 전기 자동차 내부의 중요 파워 시스템에서 애플리케이션을 실행할 수 있습니다. 또한 충전소에서 상당한 효율성을 실현합니다. 실리콘 기반의 여타 제품과 비교해 SiC 디바이스는 다음과 같은 이점을 제공합니다.
SiC 디바이스는 서버 및 태양광 에너지 변환 시스템용 전원 공급 장치를 비롯해 모터와 로봇에서부터 기타 각종 공장 자동화 시스템에 이르기까지 다양한 산업용 애플리케이션에 유용합니다. 산업용 애플리케이션에서 SiC 디바이스는 기존의 실리콘 기반 디바이스에 비해 다음과 같은 이점이 있습니다.
실리콘 카바이드는 와이드 밴드갭 소재로, 기존의 실리콘에 비해 본질적으로 다양한 이점이 있습니다.
성능과 경제성 측면에서 기존의 실리콘 디바이스보다 SiC MOSFET 사용이 더 적합한 애플리케이션 유형과 조건에 대해 알려드립니다.
OBC 설계를 더 높은 전력 등급으로 전환하고 충전 시간 단축을 통해 BEV 또는 PHEV 소유자에게 더 나은 EV 경험을 제공하는 방법에 대해 알아보세요.
ST는 EV의 트랙션 인버터가 수행하는 역할, 작동에 필요한 전기 사양, 개발 시 엔지니어가 겪게 되는 설계 과제, 와이드 밴드갭(WBG) 디바이스가 설계에 미치는 영향 등을 조사하고 있습니다.