シングル･ダイオードとダイオード・アレイを含むSTのEOS 10/1000 µs過渡電圧サプレッサ（TVS）の幅広いポートフォリオは、以下の特徴を備えています。
- 100W～5000W超の高いサージ電力能力
- 高いジャンクション温度においてもフル･パワー時でクラス最高の性能
- 高い電力密度により、堅牢性の向上やパッケージの小型化によるスペースの最適化とコスト削減が可能
STのTVSは、精密機器を静電気放電（ESD）から保護するための国際規格に適合、もしくは上回っていることに加えて、表面実装型（SMD）標準パッケージだけでなく、新しいフラット、薄型パッケージ（SMA Flat、SMB Flat）でも提供されています。
設計者は、STのパワー･サージ保護ソリューションを使用して、SMCパッケージに封止された他社の1500Wのデバイスを、SMAパッケージに封止されたSTの600Wの小型デバイスに置き換えて設計を変更することも可能です。その結果、同じ保護レベルを維持しながらコストを節減できます。このアプローチは、MOSFETの保護や産業用制御機器だけでなく、太陽光発電用インバータ、セットトップ･ボックス、通信基地局などのアプリケーションでも適用可能です。
ビデオ
Introduction to surges – EOS and ESD – definition, standards, effects and root cause
