SiC(炭化ケイ素) – 高電圧スイッチングおよび整流における最新のブレークスルー
STのSiC製品のポートフォリオには、業界最高の200°Cの接合部温度定格を特徴とする650/1200 Vの SiC MOSFETと、超低スイッチング損失および標準シリコンダイオードよりもVF（順方向電圧）が15%低いSiCダイオード（600 ~ 1200 V）が含まれ、効率的で簡素化された設計を可能にします。
SiC MOSFET
主な特徴 :
- 業界最高の200°Cの接合部温度（Tj max）により冷却要件およびヒートシンクを低減
- 200°Cまでの温度範囲にわたる低いオン抵抗が冷却要件を低減しシステム効率を改善
- 非常に低い電力損失
- 温度上昇によるオン抵抗の増加を最小限に抑制
駆動が容易（部品点数を低減化） - 高い動作周波数によるスイッチング損失の低減とシステムの小型軽量化を実現
- 高速かつ堅牢なボディ･ダイオードを内蔵
注目ビデオ
Key benefits of the Silicon Carbide technology in car electrification application
