SiCデバイス

SiC(炭化ケイ素) – 高電圧スイッチングおよび整流における最新のブレークスルー

STのSiC製品のポートフォリオには、業界最高の200°Cの接合部温度定格を特徴とする650/1200 Vの SiC MOSFETと、超低スイッチング損失および標準シリコンダイオードよりもV_F（順方向電圧）が15%低いSiCダイオード（600 ~ 1200 V）が含まれ、効率的で簡素化された設計を可能にします。

SiC MOSFET

主な特徴 :

• 業界最高の200°Cの接合部温度（Tj max）により冷却要件およびヒートシンクを低減
• 200°Cまでの温度範囲にわたる低いオン抵抗が冷却要件を低減しシステム効率を改善
• 非常に低い電力損失
• 温度上昇によるオン抵抗の増加を最小限に抑制
  駆動が容易（部品点数を低減化）
• 高い動作周波数によるスイッチング損失の低減とシステムの小型軽量化を実現
• 高速かつ堅牢なボディ･ダイオードを内蔵

製品詳細

SiCダイオード

主な特徴 :

• 極めて低い順方向導電損失による効率の向上
• 低スイッチング損失による電源回路のサイズとコスト低減
• EMCへの影響が低いソフトスイッチング作用およびEMC認証の簡素化と製品開発の短縮
• 順方向高サージ性能による堅牢性および信頼性の向上
• 高パワー集積化（デュアル･ダイオード）によるPCB小型化
• 動作部接合温度 175°Cの高温性能
• AEC-Q101認定済みのPPAP可能な車載用SiCダイオード

製品詳細