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RFトランジスタ

STの高周波トランジスタは、RF性能の向上に最適なプロセス・レイアウトで製造されています。優れたRFゲインや低飽和特性、高いブレークダウン電圧、堅牢性および信頼性(長い平均故障間隔)を備え、高性能かつコスト効率に優れたソリューションを提供します。

STは35年以上にわたる経験に基づき、1MHz~4GHzのアプリケーションに最適な7V~100Vで動作する高周波パワー・トランジスタの幅広い製品ポートフォリオを提供しています。

  • ISM(産業 / 科学 / 医療)向け
  • FM / TV放送向け
  • モバイル / 広帯域通信向け
  • 航空電子機器およびレーダ向け
  • テレコム / 衛星通信向け

SMD樹脂やセラミック、および熱抵抗を25%抑え、優れたRF性能とクラス最高レベルの信頼性を備えたSTのSTAC®エア・キャビティ・パッケージなど、さまざまなパッケージで提供されます。

また、評価ボードやリファレンス設計のほか、ソフトウェア・シミュレータ、解析ツールを幅広く提供し、設計期間の短縮に貢献します。

RF DMOS

RF DMOSトランジスタ

ISMアプリケーション向けのクラス最高の50V / 100V RF DMOSパワー・トランジスタ(最大動作周波数 250MHz)

RF LDMOS

RF LDMOSトランジスタ

7V ~ 50Vの電源電圧、1W ~ 1kWを超える出力、4GHzの最高動作周波数の広範囲な動作条件に対応

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