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RF性能向上のために最適化されたプロセス・レイアウトで製造されるSTの高周波トランジスタは、優れたRFゲインと低飽和電圧を特徴とします。また、高いブレークダウン電圧、堅牢性、および信頼性(長い平均故障間隔)を備え、高性能でコスト効率に優れたソリューションを提供します。

35年以上にわたる経験を持つSTは、以下をはじめとする1MHz~4GHzのアプリケーション向けに7V~100Vで動作するRFパワー製品の幅広いポートフォリオを提供しています。

  • ISM(産業 / 科学 / 医療)向け
  • FM / TV放送向け
  • モバイル / 広帯域通信向け
  • 航空電子機器およびレーダ向け
  • テレコム / 衛星通信向け

SMD樹脂やセラミック、および熱抵抗を25%抑え、優れたRF性能とクラス最高レベルの信頼性を備えたSTのSTAC®エア・キャビティ・パッケージなど、さまざまなパッケージで提供します。

また、評価ボードやソフトウェア・シミュレータ、解析ツールの幅広い提供により、設計期間の短縮に貢献します。

RF DMOS

ワイド・バンドギャップ・トランジスタ

動作周波数250MHzまでのISMアプリケーション向けクラス最高の50V/100V製品ポートフォリオ

製品詳細

RF LDMOS

ワイド・バンドギャップ・トランジスタ

7V~50V、1W~1kW超、4GHzまでの幅広い電源電圧、出力、および動作周波数

製品詳細

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