パワートランジスタにおけるSTの技術革新は、高電圧および低電圧アプリケーション向けの最先端パワー・テクノロジーにおける、広範なパッケージ・ポートフォリオおよび革新的なダイ・ボンディング技術の融合を特長とします。STのポートフォリオには、-100 V ~ 1700 VのMOSFET、業界最高クラスの200°Cの温度定格を持つシリコン・カーバイド(SiC)MOSFET、ブレークダウン電圧300 V ~ 1250 VのIGBT、および15 V ~ 1700 Vのパワー・バイポーラ・トランジスタが含まれています。

ワイド・バンドギャップ・トランジスタ

ワイド・バンドギャップ・トランジスタ


650 Vおよび1700 VのSiC MOSFETは業界最高の200°Cの温度定格で、高温時におけるRDS(on)の変動が非常に小さくなっています。

製品詳細

パワーMOSFET

パワーMOSFET


-100 V ~ 1700 Vの広いブレークダウン電圧において、低容量のゲート電荷、低オン抵抗のデバイスを、最先端のパッケージで提供します。

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IGBT

IGBT


300 V ~ 1,250 Vのブレークダウン電圧伝導損失を低減する低いVCE(SAT)温度上昇を抑えるスイッチオフ特性の改善

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パワー・バイポーラ・トランジスタ

パワー・バイポーラ・トランジスタ


VCESが15 V ~ 1700 Vのダーリントン・トランジスタとBJTが含まれています。



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