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パワー・トランジスタ

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産業用パワー・トランジスタ

パワー・トランジスタにおけるSTの革新的な技術を象徴するSTPOWERファミリは、広範なパッケージ・ポートフォリオと革新的なダイ・ボンディング技術を併せ持つ、高電圧および低電圧アプリケーション向けの最先端パワー・テクノロジーです。
STは、-100V~1700Vの範囲のパワーMOSFET、耐圧300V~1250VのIGBT、および15V~1700Vの範囲のパワー・バイポーラ・トランジスタを含む幅広いポートフォリオを提供します。

STのパワー・エレクトロニクス・システムにおける熱設計の改良によって、業界最高の200°Cの温度定格と650V~1700Vの電圧範囲を実現し、STのシリコン・カーバイド(SiC)MOSFETは優れた堅牢性をもちます。

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで、高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。

STは10年間の長期供給保証プログラムにより、継続的かつ安定した製品供給を行います。


STは、高電圧MOSFET IGBTやインテリジェント・パワー・モジュール(IPM)などに対し、10年間の長期供給保証を認定しました。
通知日から最低10年間にわたって対象のデバイスが利用可能であることを保証し、お客様の設計資産をサポートします。
保証対象デバイスとして認定されたSTPOWERトランジスタとモジュールのリストはこちら

ワイド・バンドギャップ・トランジスタ

ワイド・バンドギャップ・トランジスタSiC MOSFET

650V~1700Vの電圧範囲、業界最高の200°Cの温度定格、また高温時におけるRDS(on)の変動が小さいことを特徴とします。

パワーMOSFET

MOSFET

-100V~1700Vの広い耐圧範囲において、低いゲート電荷とオン抵抗を誇るデバイスを、最先端のパッケージで提供します。

IGBT

IGBT

300V~1,250 Vの耐圧範囲伝導損失を低減する低いVCE(SAT)温度上昇を抑えるスイッチオフ特性の改善

パワー・バイポーラ・トランジスタ

パワー・バイポーラ・トランジスタ

VCESが15V~1700Vのダーリントン・トランジスタやBJT(バイポーラ・ジャンクション・トランジスタ)など

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