ゲート・ドライバ内蔵小型高電圧三相パワー・ステージ

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製品概要

概要

PWD5T60は、ゲート・ドライバと6個のNチャネル・パワーMOSFETを内蔵した3相高密度パワー・ステージです。PWD5T60は、ファン、ポンプ、小型家電製品などのモータ駆動アプリケーションに最適なソリューションです。

内蔵パワーMOSFETのRDS(on)は1.38Ω、絶対最大定格電圧は500Vです。PWD5T60は、高集積化により、小さなフットプリントで負荷を効率的に駆動するため、スペースに制約があるアプリケーションに最適なソリューションです。

デバイスは、各出力専用の入力端子とシャットダウン端子を備えています。ロジック入力は、3.3VまでのCMOS/TTLに対応し、制御デバイスと簡単に接続することができます。ローサイド / ハイサイド間の遅延のマッチングがとられているため、サイクルの歪みがなく、高周波動作が可能です。

堅牢性はPWD5T60の際立った要素です。クロス電流の防止はインターロックとデッドタイム機能によって保証され、高度なスマート・シャットダウン機能を備えたコンパレータは、過負荷と過電流に対する迅速で効果的な保護を保証します。

ローサイドとハイサイドの両方に専用のUVLO保護機能があり、パワー・ステージが低効率または危険な状態で動作するのを防ぎ、最適でフェイルセーフな動作を可能にします。

ゼロドロップ内蔵ブートストラップ・ダイオードとすべての組み込み機能により、小型でシンプルなPCBレイアウトの設計が可能になり、全体的な部品数とアプリケーションのコストを削減できます。このデバイスは小型のVFQFPN(12mm x 12mm x 0.95mm)で提供されます。

  • 特徴

    • ゲート・ドライバと高電圧パワーMOSFETを統合したパワー・ステージ:
      • RDS(on) = 1.38 Ω
      • BVDSS = 500 V
    • 広い入力電源電圧範囲:9V~20V
    • ゼロドロップ・ブートストラップ・ダイオード内蔵
    • スマート・シャットダウン機能付き高速過電流保護用コンパレータ
    • 過熱保護
    • ヒステリシスを持つ3.3V、5VのTTL / CMOS入力
    • 全チャネルでマッチングの取れた伝播遅延
    • UVLO機能(ローサイド / ハイサイド)
    • インターロックおよびデッドタイム機能
    • 専用のイネーブル・ピン
    • コンパクトかつシンプルなレイアウト

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - PWD5T60

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Longevity Commitment Longevity Starting Date 材料宣誓書**
PWD5T60
量産中
VFQFPN 12X12X0.95 35L PITCH 0.65 インダストリアル Ecopack2 15 2024-01-01T00:00:00.000+01:00
PWD5T60TR
量産中
VFQFPN 12X12X0.95 35L PITCH 0.65 インダストリアル Ecopack2 15 2024-01-01T00:00:00.000+01:00

PWD5T60

Package:

VFQFPN 12X12X0.95 35L PITCH 0.65

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

VFQFPN 12X12X0.95 35L PITCH 0.65

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

PWD5T60TR

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量産中

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Grade

Industrial

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Ecopack2

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PWD5T60
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PWD5T60TR 量産中

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