製品概要
概要
This device is an PNP transistor manufactured using new low voltage planar technology with double metal process. The result is a transistor which boasts exceptionally high gain performance coupled with very low saturation voltage.
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特徴
- Very low collector-emitter saturation voltage
- High current gain characteristic
- Small, thin, leadless SMD plastic package with excellent thermal behavior
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
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製品スペック (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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| 2.0 | 24 May 2012 | 24 May 2012 |
テクニカル・ノート & 技術解説 (2)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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| 2.0 | 22 May 2019 | 22 May 2019 | ||
| 2.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |