RF5L08600CB4
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650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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製品概要

概要

The RF5L08600CB4 is a 650 W, 50 V high performance, internally matched LDMOS FETs, designed for multiple applications in the frequency range from 0.4 to 1 GHz.

  • 機能一覧

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Internally matched pair transistors in push-pull configuration
    • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the european directive 2002/95/EC

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - RF5L08600CB4

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D4E Industrial N/A

RF5L08600CB4

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D4E

Material Declaration**:

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Package

D4E

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Industrial

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N/A

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