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STPSC10065DLF

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650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode

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  • This 10 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Qualified in low profile package, the STPSC10065DLF in PowerFLAT™ 8x8 HV, enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom and network, industrial or renewable energy domains.

    主な特徴

    • Less-than-1mm height package
    • High creepage package
    • No or negligible reverse recovery
    • Temperature independent switching behavior
    • High forward surge capability
    • Very low drop forward voltage
    • Power efficient product
    • ECOPACK2 compliant component
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梱包タイプ

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175

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      650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode       		1.0
      391.29 KB
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      DS13136

      650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC10065DLF
量産中
PowerFLAT 8x8 HV Industrial Ecopack2

STPSC10065DLF

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

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量産中

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください