STPSC6H065DLF

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6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode

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  • This 6 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Qualified in low profile package, the STPSC6H065DLF in PowerFLAT™8x8 HV, enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as Telecom & Network, Industrial or Renewable energy domains.

    主な特徴

    • Less-than-1mm height package
    • High creepage package
    • No or negligible reverse recovery
    • Temperature independent switching behavior
    • High forward surge capability
    • Low drop forward voltage
    • Power efficient product
    • ECOPACK®2 compliant component

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      DS12820
      650 V power Schottky silicon carbide diode
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      406.21 KB
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      DS12820

      650 V power Schottky silicon carbide diode

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC6H065DLF
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PowerFLAT 8x8 HV Industrial Ecopack2

STPSC6H065DLF

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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