6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode

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  • This 6 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Qualified in low profile package, the STPSC6H065DLF in PowerFLAT™8x8 HV, enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as Telecom & Network, Industrial or Renewable energy domains.

    主な特徴

    • Less-than-1mm height package
    • High creepage package
    • No or negligible reverse recovery
    • Temperature independent switching behavior
    • High forward surge capability
    • Low drop forward voltage
    • Power efficient product
    • ECOPACK®2 compliant component

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推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      Diode product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12820
      650 V power Schottky silicon carbide diode
      1.0
      406.21 KB
      PDF
      DS12820

      650 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
      PDF
      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
      2.32 MB
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      6.0
      444.57 KB
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      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
      102.88 KB
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

プレゼンテーション & トレーニング資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
      PDF

      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
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      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
      837.14 KB
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      Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters 2.0
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
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      Silicon-carbide diodes 1.0
      1.42 MB
      PDF

      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Diodes and rectifiers selection guide 2.0
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      Diodes and rectifiers selection guide

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      Products and solutions for solar energy

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STPSC6H065DLF
アクティブ
PowerFLAT 8x8 HV インダストリアル Ecopack2

STPSC6H065DLF

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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