製品概要
概要
The STPRDC02 is a 60 V, high-voltage, full-bridge MOSFET driver IC to implement a control scheme specific to primary-side in STVCOT™-based resonant / non-resonant converters. It provides four high-current gate drive outputs, each capable of driving one or more N-channel Power MOSFETs. The device features programmable dead-time control to optimize MOSFETs switching and reduce losses in order to optimize the overall efficiency.Two PWM inputs control the two half-bridge sections independently. EN pin, when low, forces all the gate drive to low regardless of the PWMs status implementing an HiZ.
Overcurrent protection is programmable and senses through a common shunt resistance to be connected in series to the Low-Side power MOSFETs.
The STPRDC02 is available in VFQFPN, 4x4 mm package with exposed pad.
-
特徴
- 60 V full-bridge driver for N-Channel MOSFETs
- Adjustable dead-time control
- 2 A sink/source current
- Operating frequency up to 1 MHz
- Enable input
- Programmable overcurrent-protection
- VFQFPN, 4x4 mm package
回路ダイアグラム
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STPRDC02
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPRDC02TR | 量産中 | VFQFPN 25L 4x4x0.85 Pitch 0.4 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STPRDC02TR | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | VFQFPN 25L 4x4x0.85 Pitch 0.4 | 0 | 125 | PHILIPPINES | | ||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。