STのSiC（シリコン･カーバイド）ダイオードは、1素子入りおよび2素子入りの構成、600V～1200Vの逆電圧定格、抜群の逆回復特性と改善されたVFを特徴としています。D²PAK、TO-247、絶縁型TO-220AB/ACを含む豊富なパッケージ･ラインアップが用意されており、高効率、高堅牢性、および開発期間の短縮を追及する設計者に高い柔軟性を提供します。
STのSiCショットキー･ダイオードは電力損失を大幅に低減し、ハイエンドのサーバや通信機器の電源などのハード･スイッチングのアプリケーションに広く使われていますが、その他の太陽光発電用インバータ、モータ駆動機器、無停電電源（UPS）などのアプリケーションでの使用も可能な製品群です。
AEC-Q101認定取得済みでPPAP対応が可能なSTの650Vおよび1200V車載グレードSiCダイオードは、クラスで最も低い順方向電圧降下（VF）を特徴とし、電気自動車（EV）アプリケーションの効率を最適化します。
主な特徴：
- 順方向導通損失およびスイッチング損失の低減により 高効率の電力変換回路を実現
- ダイオード2素子入りの構成により電力密度を向上、基板面積を低減
- 電力変換回路の寸法とコストを大幅に低減
- EMCへの影響を抑えて認証を簡素化して市場投入までの期間を短縮
- 本質的な堅牢性により極めて高い信頼性を確保
推奨コンテンツ
1200 V SiC diodes deliver superior efficiency and robustness
Our range of 1200 V silicon-carbide (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) diodes meets designers' needs for superior efficiency, low weight, small size, and improved thermal characteristics for performance-oriented applications.
Offering the best-in-class forward voltage (lowest VF) and state-of-the-art robustness, our 1200 V SiC diodes provide extra freedom to achieve high efficiency and reliability with lower current rating and therefore lower cost, while reducing operating temperature and extending application lifetime. They ensure a perfect fit in every switch mode converter and inverter - SMPS, UPS, solar, motor drives- where extreme power density and efficiency are needed.
Covering current ratings from 2 to 40 A, our 1200 V SiC diode family includes industrial-dedicated as well as automotive-qualified devices in surface-mount DPAK HV (high-voltage) and D²PAK, or through-hole TO-220AC and TO-247LL (long-lead) packages.
ST's 1200V SiC allows reaching the highest standards and smallest form factor.
eDesignSuite
eDesignSuiteは、幅広いST製品を用いたシステム開発プロセスの効率化を支援する、使いやすい設計支援ユーティリティの包括的なセットです。
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