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  • The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics®VIPower®M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.

    Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    Key Features

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFET

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VNB35NV04-E

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9212
      OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET
      5.0
      555.46 KB
      PDF
      DS9212

      OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1922
      VIPower® M0-7 standard high-side drivers hardware design guide
      2.0
      10.08 MB
      PDF
      UM1922

      VIPower® M0-7 standard high-side drivers hardware design guide

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      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
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      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
VNB35NV04-E
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D2PAK オートモーティブ Ecopack1
VNB35NV04TR-E
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D2PAK オートモーティブ Ecopack1

VNB35NV04-E

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D2PAK

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VNB35NV04TR-E

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