VNB35NV04-E

量産中
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OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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製品概要

概要

The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics®VIPower®M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.

Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

  • 特徴

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFET

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - VNB35NV04-E

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
VNB35NV04TR-E
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D2PAK オートモーティブ Ecopack1 (*)

VNB35NV04TR-E

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1 (*)

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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製品ステータス
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RoHS
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VNB35NV04TR-E
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。