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  • The VNN3NV04P-E, VNS3NV04P-E, are monolithic devices designed in STMicroelectronics®VIPower®M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主な特徴

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European directive

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VNS3NV04P-E SO-8 Tube -
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VNN3NV04PTR-E SOT-223 Tape And Reel -
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VNS3NV04P-E

パッケージ

SO-8

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VNN3NV04PTR-E

パッケージ

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6233
      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
      5.0
      281.83 KB
      PDF
      DS6233

      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
VNN3NV04PTR-E
アクティブ
SOT-223 オートモーティブ Ecopack2
VNS3NV04P-E
NRND
SO-8 オートモーティブ Ecopack2
VNS3NV04PTR-E
アクティブ
SO-8 オートモーティブ Ecopack2

VNN3NV04PTR-E

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

SOT-223

Grade

Automotive

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Ecopack2

VNS3NV04P-E

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SO-8

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Package

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Automotive

RoHS Compliance Grade

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VNS3NV04PTR-E

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SO-8

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Automotive

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(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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