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  • The VNP8T is a monolithic device designed in STMicroelectronics®VIPower®M0-3 technology, intended for the replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

    Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    Key Features

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFETs

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VNP8TD8 DICE SAWN T&R Tape And Reel -
アクティブ
- - EAR99 CHINA 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

VNP8TD8

パッケージ

DICE SAWN T&R

梱包タイプ

Tape And Reel

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製品ステータス

アクティブ

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS8933
      Omnifet II fully autoprotected Power MOSFET
      5.0
      474.73 KB
      PDF
      DS8933

      Omnifet II fully autoprotected Power MOSFET

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
VNP8TD8
アクティブ
DICE SAWN T&R オートモーティブ N/A

VNP8TD8

Package:

DICE SAWN T&R

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

DICE SAWN T&R

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.