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  • The VNP8T is a monolithic device designed in STMicroelectronics®VIPower®M0-3 technology, intended for the replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

    Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主な特徴

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFETs

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VNP8TD8 DICE SAWN T&R Tape And Reel -
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- - EAR99 CHINA

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VNP8TD8

パッケージ

DICE SAWN T&R

梱包タイプ

Tape And Reel

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製品ステータス

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ECCN (US)

EAR99

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CHINA

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS8933
      Omnifet II fully autoprotected Power MOSFET
      5.0
      474.73 KB
      PDF
      DS8933

      Omnifet II fully autoprotected Power MOSFET

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
VNP8TD8
Active
DICE SAWN T&R Automotive N/A

VNP8TD8

Package:

DICE SAWN T&R

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

DICE SAWN T&R

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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