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  • The VNN1NV04P-E, VNS1NV04P-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

    Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主な特徴

    • ESD protection
    • Diagnostic feedback through input pin
    • Compatible with standard Power MOSFET
    • Linear current limitation
    • Short circuit protection
    • Thermal shutdown
    • Low current drawn from input pin
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Integrated clamp

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VNS1NV04PTR-E SO-8 Tape And Reel -
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VNS1NV04P-E

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SO-8

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6206
      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
      3.0
      460.74 KB
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      DS6206

      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
VNS1NV04P-E
NRND
SO-8 Automotive Ecopack2
VNS1NV04PTR-E
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SO-8 Automotive Ecopack2

VNS1NV04P-E

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SO-8

Grade

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SO-8

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください