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  • The M48T35AV TIMEKEEPER®RAM is a 32 Kbit x 8 non-volatile static RAM and real-time clock. The monolithic chip is available in two special packages to provide a highly integrated battery-backed memory and real-time clock solution.

    The M48T35AV is a non-volatile pin and function equivalent to any JEDEC standard 32 Kb x 8 SRAM. It also easily fits into many ROM, EPROM, and EEPROM sockets, providing the non-volatility of PROMs without any requirement for special WRITE timing or limitations on the number of WRITEs that can be performed.
    The 28-pin, 600 mil DIP CAPHAThouses the M48T35AV silicon with a quartz crystal and a long-life lithium button cell in a single package.
    The 28-pin, 330 mil SOIC provides sockets with gold plated contacts at both ends for direct connection to a separate SNAPHAT®housing containing the battery and crystal. The unique design allows the SNAPHAT battery package to be mounted on top of the SOIC package after the completion of the surface mount process. Insertion of the SNAPHAT housing after reflow prevents potential battery and crystal damage due to the high temperatures required for device surface-mounting. The SNAPHAT housing is keyed to prevent reverse insertion.
    The SOIC and battery/crystal packages are shipped separately in plastic anti-static tubes or in tape & reel form.
    For the 28-lead SOIC, the battery/crystal package part numbers are M4T28-BR12SH1 (48 mAh lithium battery SNAPHAT), M4T32-BR12SH1 (120 mAh lithium battery SNAPHAT), and M4T32-BR12SH6 (120 mAh lithium battery SNAPHAT, –40 to +85 °C crystal).

    主な特徴

    • Integrated, ultra low power SRAM, real-time clock, power-fail control circuit and battery
    • BYTEWIDERAM-like clock access
    • BCD coded year, month, day, date, hours, minutes, and seconds
    • Battery low flag (BOK)
    • Frequency test output for real-time clock
    • Automatic power-fail chip deselect and WRITE protection
    • WRITE protect voltage (VPFD= power-fail deselect voltage):
      • M48T35AV: VCC= 3.0 to 3.6 V; 2.7 V ≤ VPFD≤ 3.0 V
    • Self-contained battery and crystal in the CAPHATDIP package
    • SOIC package provides direct connection for a SNAPHAT®housing containing the battery and crystal
    • SNAPHAT®housing (battery and crystal) is replaceable
    • Pin and function compatible with JEDEC standard 32 Kbit x 8 SRAMs
    • RoHS compliant
      • Lead-free second level interconnect

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      DS1811
      3.3 V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM
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      DS1811

      3.3 V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN1011
      STマイクロエレクトロニクスのNVRAMおよびリアルタイムクロック(RTC)製品で使用されているバッテリー技術
      4.0
      476.81 KB
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      AN934
      How to use the digital calibration feature in TIMEKEEPER® and serial real-time clock (RTC) products
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      123.42 KB
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      AN923
      Managing century information using serial real-time clocks and TIMEKEEPER® NVRAMs
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      142.23 KB
      PDF
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      Negative undershoot NVRAM data corruption
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      NVRAMおよびシリアルRTCのバッテリー寿命とデータ保持時間の予測
      1.0
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      Second source for SNAPHAT® using a dual footprint
      2.1
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      Products Underwriter Laboratories (UL) Information 2.1
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
M48T35AV-10MH1F
アクティブ
SO-28 インダストリアル Ecopack1
M48T35AV-10PC1
アクティブ
PDIP 28 .7 インダストリアル Ecopack1

M48T35AV-10MH1F

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