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This 10 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Qualified in low profile package, the STPSC10H065DLF in PowerFLAT 8x8 HV, enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom and network, industrial or renewable energy domains.
特徴
- Less than 1 mm height package
- High creepage package
- No or negligible reverse recovery
- Temperature independent switching behavior
- High forward surge capability
- Very low drop forward voltage
- Power efficient product
- ECOPACK2 compliant component
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製品スペック (1)
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技術ノート & 解説 (1)
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カンファレンス･ペーパー (1)
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STPSC10H065DLF
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HWモデル / CADライブラリ / SVD (1)
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| ZIP | 14 Dec 2020 |
14 Dec 2020
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC10H065DLF |
量産中
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PowerFLAT 8x8 HV | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STPSC10H065DLF | 4 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | PowerFLAT 8x8 HV | - | - | 175 | CHINA | 1.474 / 50 | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
