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  • The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature and is ideal for automotive applications.

    Especially suited for use as boost diode, this rectifier will enhance the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • High forward surge capability
    • AEC-Q101 qualified
    • PPAP capable
    • ECOPACK®2 compliant component

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      Diode product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10796
      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
      1.0
      160.96 KB
      PDF
      DS10796

      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
      PDF
      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      7.0
      433.12 KB
      PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STPSC12C065-Y Pspice model (.lib & .olb) 1.0
      55.01 KB
      ZIP

      STPSC12C065-Y Pspice model (.lib & .olb)

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
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      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary) 1.0
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      AUTOMOTIVE-GRADE SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary)

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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC12C065DY
量産中
TO-220AC オートモーティブ Ecopack2

STPSC12C065DY

Package:

TO-220AC

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-220AC

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
パッケージ
梱包タイプ
Junction Temperature (°C) (max)
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
STPSC12C065DY

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

購入
量産中
TO-220AC Tube 175 EAR99 CHINA 1.545 / 100

STPSC12C065DY

製品ステータス

量産中

単価(US$)

1.545

Budgetary Price (US$)*/Qty

1.545 / 100

パッケージ

TO-220AC

梱包タイプ

Tube

Junction Temperature (°C) (max)

175

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。