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1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode, available in TO-220AC and TO-247 LL, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • Operating from -40 °C to 175 °C
    • Low VF
    • ECOPACK®2 compliant

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS11586
      1200 V power Schottky silicon carbide diode
      3.0
      328.77 KB
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      DS11586

      1200 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 Version Size Action
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
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      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

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    • 概要 Version Size Action
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      7.0
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

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    • 概要 Version Size Action
      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC15H12D
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TO-220AC Industrial Ecopack2
STPSC15H12WL
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DO247 LONG LEADS Industrial Ecopack2

STPSC15H12D

Package:

TO-220AC

Material Declaration**:

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Package

TO-220AC

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Ecopack2

STPSC15H12WL

Package:

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Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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