STPSC2H12

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1200 V power Schottky silicon carbide diode

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製品概要

概要

The SiC diode, available in TO-220AC and DPAK HV, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • Low VF
    • ECOPACK®2 compliant

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC2H12

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC2H12D
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TO-220AC インダストリアル Ecopack2

STPSC2H12D

Package:

TO-220AC

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Package

TO-220AC

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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量産中
EAR99 NEC Tube TO-220AC - -

175

CHINA

STPSC2H12D 量産中

パッケージ:
TO-220AC
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

製品型番:

STPSC2H12D

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tube

Operating Temperature (°C)

最小:

-

最大:

-

Junction Temperature (°C) (max):

175

Country of Origin:

CHINA

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。