STPSC2H12
NRND
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1200 V power Schottky silicon carbide diode

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製品概要

概要

The SiC diode, available in TO-220AC and DPAK HV, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

  • All features

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • Low VF
    • ECOPACK®2 compliant

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STMicroelectronics - STPSC2H12

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Part Number Marketing Status Package Grade RoHSコンプライアンスグレード Longevity Commitment Longevity Starting Date Material Declaration**
STPSC2H12D
NRND
TO-220AC Industrial Ecopack2 - -

STPSC2H12D

Package:

TO-220AC

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

TO-220AC

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STPSC2H12D

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STPSC2H12D NRND

Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
Package:
Packing Type:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

Part Number:

STPSC2H12D

Junction Temperature (°C) (max):

175

販売代理店

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