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The SiC diode, available in TO-247 LL, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
主な特徴
- No or negligible reverse recovery
- Switching behavior independent of temperature
- Robust high voltage periphery
- Operating Tj from -40 °C to 175 °C
- ECOPACK®2 compliant
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | 概算価格（USS） | Quantity | パッケージ | 梱包タイプ | Junction Temperature (°C) (max) | ECCN (US) | Country of Origin | 販売代理店からオーダー | STからオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STPSC30H12CWL | Active | 6.902 | 100 | TO-247 long leads | Tube | - | EAR99 | PHILIPPINES | 在庫チェック | 購入 |
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| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC30H12CWL | Active | TO-247 long leads | Industrial | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
