製品概要
概要
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in specific bridge-less topologies, this dual 650 V rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.-
特徴
- No or negligible reverse recovery
- Switching behavior independent of temperature
- Suited for specific bridge-less topologies
- High forward surge capability
- Insulated package:
- Capacitance: 7 pF
- Insulated voltage: 2500 V rms
注目ビデオ
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STPSC8TH13TI
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フットプリント
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 9.0 | 07 Dec 2021 | 07 Dec 2021 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC8TH13TI | 量産中 | TO-220AB Ins | インダストリアル | Ecopack2 | |
STPSC8TH13TI
Package:
TO-220AB InsMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STPSC8TH13TI | 1 distributors | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220AB Ins | - | - | 175 | CHINA | 2.867 / 30 | ||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
