STPSC8TH13TI

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2 x 650V tandem, 8 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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製品概要

概要

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in specific bridge-less topologies, this dual 650 V rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Suited for specific bridge-less topologies
    • High forward surge capability
    • Insulated package:
      • Capacitance: 7 pF
      • Insulated voltage: 2500 V rms

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC8TH13TI

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC8TH13TI
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TO-220AB Ins インダストリアル Ecopack2

STPSC8TH13TI

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TO-220AB Ins

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Package

TO-220AB Ins

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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梱包タイプ:
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ECCN (US):
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STPSC8TH13TI

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