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2 x 650V tandem, 8 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in specific bridge-less topologies, this dual 650 V rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Suited for specific bridge-less topologies
    • High forward surge capability
    • Insulated package:
      • Capacitance: 7 pF
      • Insulated voltage: 2500 V rms
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS9696
      Dual 650 V power Schottky silicon carbide diode in series       		3.0
      270.17 KB
      		PDF
      DS9696

      Dual 650 V power Schottky silicon carbide diode in series

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes       		2.0
      4.75 MB
      		PDF
      		AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations       		2.0
      2.32 MB
      		PDF
      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      PDF
      AN5088

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches       		8.0
      417.06 KB
      		PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
      102.88 KB
      		ZIP

      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

      ZIP

Presentations & Training Material

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
      		PDF

      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

      PDF

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0
      580.17 KB
      		PDF
      		1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
      258.19 KB
      		PDF
      		650 V SiC DIODES for industrial applications 1.0
      1.44 MB
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      		ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
      		PDF
      		SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY 1.0
      895.03 KB
      		PDF

      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages

      PDF

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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      650 V SiC DIODES for industrial applications

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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS

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      SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Diodes and rectifiers selection guide 2.0
      815.09 KB
      		PDF

      Diodes and rectifiers selection guide

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      		Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC8TH13TI
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TO-220AB Ins インダストリアル Ecopack2

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製品ステータス
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温度（℃） Budgetary Price (US$)*/Qty
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EAR99 NEC Tube TO-220AB Ins - - 2.421 / 100
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製品ステータス

量産中

ECCN (US)

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パッケージ

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Operating Temperature (°C)

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Junction Temperature (°C) (max)

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（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。