Product overview
概要
本SiC（シリコン･カーバイド）パワーMOSFETは、STの先進的かつ革新的な第3世代のSiC MOSFETテクノロジーを駆使して開発されました。本デバイスは、温度範囲全体でRDS(on)がきわめて低く、低キャパシタンス（静電容量）かつ優れたスイッチング動作にも対応していることから、周波数、エネルギー効率、システム･サイズ、および軽量化の面で、アプリケーション･パフォーマンスを全体的に高められます。
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All features
- AEC-Q101準拠
- 温度範囲全体できわめて低いRDS(on)
- ハイスピード･スイッチング性能
- 高速かつ堅牢なボディ･ダイオードを内蔵
- 高効率を実現するソース･センシング･ピン
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCT040HU65G3AG
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 20 Apr 2023 | 20 Apr 2023 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT040HU65G3AG | Active 交換品交換品 | HU3PAK | Automotive | Ecopack1 | 10 | 2024-06-14T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT040HU65G3AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SCT040HU65G3AG Active
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