SCT20N120AG

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Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - SCT20N120AG

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCT20N120AG
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HIP247 オートモーティブ Ecopack2

SCT20N120AG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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