SCT50N120

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

    主な特徴

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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      DS11107
      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mΩ (typ., TJ=150 °C) in an HiP247™ package
      4.0
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      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
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      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

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      UM1575
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      1.3
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      SCT50N120 PSpice model 1.0
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCT50N120
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HIP247 Industrial Ecopack2

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