Product overview
概要
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
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All features
- AEC-Q101 qualified
- Very low RDS(on) over the entire temperature range
- High speed switching performances
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Source sensing pin for increased efficiency
- Low thermal resistance multi sintering package
- 7.3 mm minimum creepage (including 0.6 mm particles)
- 1020 Vrms PD2
推奨コンテンツ
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCTHCT250N12G3AG
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTHCT250N12G3AG | NRND 新規設計には推奨されません。製品は、お客様の継続的な生産をサポートするためだけに量産されています。 | STPAK HC | Automotive | Ecopack2 | 10 | 2024-06-14T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTHCT250N12G3AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SCTHCT250N12G3AG NRND
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。