SCTW60N120G2AG

量産中

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • High speed switching performance
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitances
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW60N120G2AG
量産中
HIP247 オートモーティブ Ecopack2

SCTW60N120G2AG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA

SCTW60N120G2AG

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ECCN (US)

EAR99

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NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247

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(最小)

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(最大)

-

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Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。