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This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
主な特徴
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | 概算価格（USS） | Quantity | ECCN (US) | Country of Origin | 販売代理店からオーダー | STからオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTWA50N120 | TO-247 long leads | Tube | Active | 25.5 | 1000 | EAR99 | CHINA | 在庫チェック | サンプル入手 |
(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office or our Distributors
ビデオ
| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCTWA50N120 | Active | TO-247 long leads | Industrial | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
