SCTWA50N120

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
  • 特徴

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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STMicroelectronics - SCTWA50N120

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フットプリント

3D model

3Dモデル

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SCTWA50N120
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HIP247 long leads インダストリアル Ecopack2

SCTWA50N120

Package:

HIP247 long leads

Material Declaration**:

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Package

HIP247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。