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This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
特徴
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
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製品スペック (1)
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| 03 Apr 2017 |
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アプリケーションノート (3)
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| 03 Apr 2020 |
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| 15 Jul 2019 |
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| 13 Sep 2018 |
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技術ノート & 解説 (2)
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| 03 Apr 2020 |
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| 22 Sep 2020 |
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ユーザ･マニュアル (1)
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| 21 Oct 2016 |
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フライヤ (5)
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| 08 May 2020 |
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| 22 Jul 2020 |
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| 15 May 2020 |
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| 23 Mar 2020 |
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パンフレット (1)
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カンファレンス･ペーパー (5 of 7)
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| 25 Jul 2018 |
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| 23 Mar 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCTWA50N120
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Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCTWA50N120 |
量産中
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HIP247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||
| SCTWA50N120 | 3 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | HIP247 long leads | - | - | CHINA | 25.5 / 1k | |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
