製品概要
主な利点
効率の向上
GaNの優れた電気特性により、スイッチング損失と導通損失が最小限に抑えられ、高効率な電力設計を実現します。
出力密度の向上
スイッチング周波数の上昇により、小型で高出力密度の設計が可能になり、受動部品の小型化と熱管理の簡素化が実現します。
システム･コストの削減
受動部品の小型化と熱管理の簡素化により、システム･サイズが縮小し、部品コスト（BOM）全体が削減されます。
概要
SGT1D5R10MEAは、100V、501Aのe-mode PowerGaNトランジスタです。このトランジスタを使ったデバイスは、導通損失がきわめて低く、大電流容量で、スイッチング動作が超高速のため、高電力密度と卓越した効率のパフォーマンスを実現できます。
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機能一覧
- 両面冷却パッケージ
- エンハンスメント型ノーマリ･オフ･トランジスタ
- きわめて低いキャパシタンス
- 高いパワー･マネージメント容量
- 超高速スイッチング
- ゼロ逆回復電荷
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SGT1D5R10MEA
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT1D5R10MEA | Active 交換品交換品 | EN-FCLGA 5X6 | Industrial | N/A | 7 | 2026-06-26T00:00:00.000+02:00 | |
SGT1D5R10MEA
Package:
EN-FCLGA 5X6Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT1D5R10MEA | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SGT1D5R10MEA Active
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