製品概要
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
-
特徴
- AEC-Q101 qualified
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
注目ビデオ
ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.
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アプリケーションノート (5 of 9)
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テクニカル･ノート & 技術解説 (4)
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ユーザマニュアル (1)
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フライヤー (5 of 11)
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STB30N65M2AG
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| ZIP | 1.0 | 09 Jan 2020 | 09 Jan 2020 |