STB34NM60ND

NRND
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D2PAKパッケージで提供されるNチャネル600V、97mΩ(Typ.)、29A FDmesh IIパワーMOSFET

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製品概要

概要

本デバイスは、ST独自の革新的な垂直構造に基づくMDmesh™ V技術を使用して製造されるNチャネルFDmesh™ VパワーMOSFETです。シリコン・ベースのパワーMOSFETの中では比類のないきわめて低いオン抵抗と、内蔵のファストリカバリ・ダイオードによる優れたスイッチング性能を誇ります。

  • 特徴

    • TO-220で提供されるファストリカバリ・ダイオード・デバイスの中では世界で最も低いRDS(on)
    • 100%アバランシェ試験済み
    • 低い入力キャパシタンスとゲート電荷
    • 低いゲート入力抵抗
    • きわめて高いdv/dtとアバランシェ機能

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STマイクロエレクトロニクス - STB34NM60ND

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Longevity Commitment Longevity Starting Date 材料宣誓書**
STB34NM60ND
NRND
D2PAK インダストリアル Ecopack2 - -

STB34NM60ND

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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RoHS
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。