Product overview
概要
本デバイスは、ST独自の革新的な垂直構造に基づくMDmesh™ V技術を使用して製造されるNチャネルFDmesh™ VパワーMOSFETです。シリコン･ベースのパワーMOSFETの中では比類のないきわめて低いオン抵抗と、内蔵のファストリカバリ･ダイオードによる優れたスイッチング性能を誇ります。
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All features
- TO-220で提供されるファストリカバリ･ダイオード･デバイスの中では世界で最も低いRDS(on)
- 100%アバランシェ試験済み
- 低い入力キャパシタンスとゲート電荷
- 低いゲート入力抵抗
- きわめて高いdv/dtとアバランシェ機能
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STMicroelectronics - STF34NM60ND
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF34NM60ND | NRND 新規設計には推奨されません。製品は、お客様の継続的な生産をサポートするためだけに量産されています。 | TO-220FP | Industrial | Ecopack2 | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF34NM60ND | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STF34NM60ND NRND
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。