Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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STGW10M65DF2 TO-247 Tube
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Country of Origin

CHINA

概要

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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      DS11548
      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-247 package
      2.0
      936.2 KB
      PDF
      DS11548

      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-247 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
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      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      STGW10M65DF2 PSpice model 1.0
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      STGW10M65DF2 PSpice model

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      PDF

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGW10M65DF2
アクティブ
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW10M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

アクティブ

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Package

TO-247

Grade

Industrial

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