STGWT30HP65FB

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Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGWT30HP65FB

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWT30HP65FB
NRND
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT TO-3P インダストリアル Ecopack2

STGWT30HP65FB

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

Package

TO-3P

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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概要
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ECCN (US):
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STGWT30HP65FB

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Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。