製品概要
概要
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
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特徴
- Worldwide best RDS(on) x area
- Worldwide best FOM (figure of merit)
- Ultra low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
タイトル | バージョン | 更新日 |
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SPICE models (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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ZIP | 2.0 | 10 Aug 2024 | 10 Aug 2024 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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STP80N240K6 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STP80N240K6 量産中
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