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  • The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a satisfactory RBSOA.

    主な特徴

    • High voltage capability
    • Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
    • Low spread of dynamic parameters
    • Very high switching speed

サンプル & 購入

製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
概算価格(USS)
数量
ECCN (US)
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STからオーダー
TR136 TO-220AB Tube
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- EAR99 CHINA No availability of distributors reported, please contact our sales office 購入

TR136

パッケージ

TO-220AB

梱包タイプ

Tube

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*

製品ステータス

Active

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数量

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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5536
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      2.3
      115.65 KB
      PDF
      DS5536

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
TR136
Active
TO-220AB インダストリアル Ecopack2

TR136

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.