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  • The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performance and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/ (look for application note AN1294)

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT = 30 W with 14dB gain @ 945 MHz / 28 V
    • New RF plastic package

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製品型番
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PD57030S-E
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RICHARDSON RFPD AMERICA 84 1 Order Now

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RICHARDSON RFPD

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PD57030S-E

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アクティブ

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DIGIKEY WORLDWIDE 370 1 Order Now
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DIGIKEY

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パッケージ

PowerSO-10RF (straight lead)

梱包タイプ

Tube

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

MOROCCO

PD57030-E

製品ステータス

アクティブ

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DIGIKEY WORLDWIDE 42 1 Order Now
ARROW AMERICA 176 400 Order Now
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DIGIKEY

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パッケージ

PowerSO-10RF (formed lead)

梱包タイプ

Tube

ECCN (US)

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MOROCCO

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      Mismatch analysis for RF transistor circuits based on Agilent ADS

      Large signal load stability for RF transistors based on Agilnet ADS

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS4877
      RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
      3.1
      507.24 KB
      PDF
      DS4877

      RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN1294
      PowerSO-10RF: the first true RF power SMD package
      3.2
      1.01 MB
      PDF
      AN1294

      PowerSO-10RF: the first true RF power SMD package

関連資料

    • Description バージョン サイズ アクション
      28/32V LDMOS; IDDE technology boost efficiency & robustness 1.0
      221.33 KB
      PDF

      28/32V LDMOS; IDDE technology boost efficiency & robustness

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
PD57030-E
Active
PowerSO-10RF (formed lead) インダストリアル Ecopack2
PD57030S-E
Active
PowerSO-10RF (straight lead) インダストリアル Ecopack2

PD57030-E

Package:

PowerSO-10RF (formed lead)

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

PowerSO-10RF (formed lead)

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

PD57030S-E

Package:

PowerSO-10RF (straight lead)

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

PowerSO-10RF (straight lead)

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.