PD57030-E

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RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

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概要

The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performance and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/ (look for application note AN1294)
  • All features

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT = 30 W with 14dB gain @ 945 MHz / 28 V
    • New RF plastic package

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PD57030S-E

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EAR99 NEC Tube PowerSO-10RF (straight lead) - -
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(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。