RF2L16180CB4

量産中
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180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

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製品概要

概要

The RF2L16180CB4 is a 180 W, internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz. Four leads can be configured as single ended, 180 degree push-pull or 90 degree hybrid or Doherty with proper external matching network.
  • 特徴

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Internally matched for ease of use
    • Optimized for Doherty applications
    • Large positive and negative gate/source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - RF2L16180CB4

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3D model

3Dモデル

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製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
RF2L16180CB4
量産中
B4E インダストリアル N/A

RF2L16180CB4

Package:

B4E

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

B4E

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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販売代理店在庫RF2L16180CB4

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EAR99 NEC Tape and Reel B4E - - CHINA

RF2L16180CB4 量産中

パッケージ:
B4E
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

製品型番:

RF2L16180CB4

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tape and Reel

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-

最大:

-

Country of Origin:

CHINA

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。