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  • The SD2933 is a gold metalized N-channel MOS field-effect RF power transistor, intended for use in 50 V dc large signal applications up to 150 MHz. Its special low thermal resistance package makes it ideal for ISM applications, where reliability and ruggedness are critical factors.

    主な特徴

    • Gold metalization
    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT= 300 W min. with 20 dB gain @ 30 MHz
    • Thermally enhanced packaging for lower junction temperatures

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開発ツール・ハードウェア

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評価ツール

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS1975
      HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETs
      15.0
      514.61 KB
      PDF
      DS1975

      HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETs

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN1256
      High-power RF MOSFET targets VHF applications
      2.2
      107.7 KB
      PDF
      AN2027
      Mounting recommendations for ceramic DMOS packages
      2.4
      47.85 KB
      PDF
      AN1256

      High-power RF MOSFET targets VHF applications

      AN2027

      Mounting recommendations for ceramic DMOS packages

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      SD2933 ADS model 1.0
      604.11 KB
      ZIP

      SD2933 ADS model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Semiconductor solutions for healthcare applications 1.0
      665.18 KB
      PDF

      Semiconductor solutions for healthcare applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SD2933W
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M177 インダストリアル Ecopack1

SD2933W

Package:

M177

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

M177

Grade

Industrial

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Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.